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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JESD-30 代码： | E-PALF-W2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 50 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 2 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3611X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
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| 1N3612 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC AXIAL LEAD RECTIFIER |
|
| 1N3612 | EIC |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS |
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| 1N3612 | CENTRAL |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIERS 1.0 AMP, 200 THRU 1000 VOLTS |
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| 1N3612 | NJSEMI |
获取价格 |
General Purpose Rectifiers in A Bodt Package |
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| 1N3612 | SEMTECH |
获取价格 |
Axial Leaded Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode |
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| 1N3612 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY RECTIFIERS |
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| 1N3612GP | TAYCHIPST |
获取价格 |
Glass Passivated Junction Rectifier |
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| 1N3612GP | VISHAY |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
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| 1N3612GP/100 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
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