1N3611TR

更新时间： 2024-02-24 21:10:31

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CENTRAL		整流二极管
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2页	107K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon,

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技术参数
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1N3611TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	最大非重复峰值正向电流：	40 A
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	1 A	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	2 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

1N3611TR 数据手册

1N3611 1N3613

1N3612 1N3614

Central

1N3957

Semiconductor Corp.

GLASS PASSIVATED

GENERAL PURPOSE

SILICON RECTIFIERS

1.0 AMP, 200 THRU 1000 VOLTS

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N3611 thru

1N3614, and 1N3957 are hermetically sealed,

glass passivated, general purpose silicon rectifiers

ideal for commercial, military, automotive and

entertainment applications requiring high reliability

and failure free performance.

MARKING: FULL PART NUMBER

GPR-1A CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL 1N3611 1N3612 1N3613 1N3614 1N3957 UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

200

400

600

800

1000

RRM

RMS Reverse Voltage

R(RMS)

140

280

420

1.0

560

700

Average Forward Current (T =100°C)

Peak Forward Surge Current (tp=8.3ms)

FSM

Operating and Storage

Junction Temperature

T , T

stg

°C

-65 to +175

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

TYP

MAX

5.0

UNITS

μA

V =Rated V

RRM

V =Rated V

, T =150°C

200

1.1

μA

I =1.0A

V =4.0V, f=1.0MHz

I =0.5A, I =1.0A, I =0.25A

2.0

μs

R0 (19-November 2007)

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