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1N3611

更新时间： 2024-11-29 06:26:31
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商升特 - SEMTECH 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 95K
描述
Axial Leaded Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode

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1N3611 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, G2, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.19外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：O-XALF-W2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：2 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N3611 数据手册

 浏览型号1N3611的Datasheet PDF文件第2页 
1N3611, 1N3612, 1N3613,  
1N3614, 1N3957  
Axial Leaded Hermetically Sealed  
Standard Recovery Rectifier Diode  
POWER DISCRETES  
Description  
Features  
Quick reference data  
‹ Low reverse leakage current  
‹ Hermetically sealed in Metoxilite fused metal oxide  
‹ Good thermal shock resistance  
‹ Low forward voltage drop  
VR = 200 - 1000 V  
I = 1.0A  
O
trr = 2µS  
‹ Avalanche capability  
V = 1.1V  
F
These products can be supplied as JANTX levels.  
Electrical Specifications  
Electrical specifications @ TA = 25°C unless otherwise specified.  
Types  
VRWM  
VF  
IO  
IFSM  
IR  
TRR  
TSTG and TJ  
Rθ JL  
L=.375  
inch  
(9.53mm)  
At: TJ =  
25°C  
At: TA =  
+100°C  
(1)(2)  
At: TA =  
+150°C  
(1)(2)  
T = +25°C  
V
0.5A I to  
1.0A OIRM  
recover to  
0.25A IRM  
(REC)  
IOA = 1 A dc TJ =R2W5M,°C  
tp = 8.0ms  
IO = 1A  
V(pk)  
200  
V
A dc  
mA dc  
300  
A(pk)  
30  
µA  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
µS  
2
°C  
°C/W  
38  
1N3611  
1N3612  
1N3613  
1N3614  
1N3957  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1.1  
1
1
1
1
1
-65 to +175  
-65 to +175  
-65 to +175  
-65 to +175  
-65 to +175  
400  
300  
30  
2
38  
600  
300  
30  
2
38  
800  
300  
30  
2
38  
1000  
300  
30  
2
38  
Notes:  
(1) From IO rating is independent of heat sinking, special mounting, or leads of the device.  
(2) Derate linearly at 13.3mA between TA = +100°C and TA = +175°C  
Revision: June 19, 2006  
1
www.semtech.com  
12

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1N3611 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N3611 MICROSEMI

功能相似

 MILITARY RECTIFIERS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N3611_04 MICROSEMI

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1N3611_11 MICROSEMI

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 		VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED
1N3611BK CENTRAL

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon,
1N3611GP TAYCHIPST

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 		Glass Passivated Junction Rectifier
1N3611GP VISHAY

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1N3611GP NJSEMI

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 		Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-204AL
1N3611GP/100 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
1N3611GP/4F VISHAY

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