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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | LOW IMPEDANCE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 47 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N354 | ETC |
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silicon diode |
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| 1N355 | ETC |
获取价格 |
GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N3550 | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
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| 1N3551 | NJSEMI |
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DIODE |
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| 1N3552 | NJSEMI |
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DIODE |
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| 1N3553 | NJSEMI |
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DIODE |
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| 1N3554 | NJSEMI |
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DIODE |
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| 1N3555 | NJSEMI |
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DIODE |
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| 1N3556 | NJSEMI |
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DIODE |
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| 1N3557 | NJSEMI |
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DIODE |
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