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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.28 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 5.1 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 20 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N5231B(DO-35) | MICROSEMI |
类似代替  |
Zener Voltage Regulator Diode |
|
| 1N5729B | MICROSEMI |
类似代替 |
SILICON 400MW ZENER DIODES |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3511BK | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3511C | CENTRAL |
获取价格 |
5.1V,400mW Through-Hole Diode-Zener Single: Standard Tight Tolerance |
|
| 1N3511D | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Zener Single 5.1V 5% 400mW 2-Pin DO-35 |
|
| 1N3511E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN |
|
| 1N3511LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3511TR | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3511TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3511TR-RECU | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3511TR-RMCU | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3512 | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
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