5秒后页面跳转
1N3511C PDF预览

1N3511C

更新时间: 2024-10-31 14:53:43
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 330K
描述
5.1V,400mW Through-Hole Diode-Zener Single: Standard Tight Tolerance

1N3511C 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.71外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:14 Ω
最大正向电压 (VF):1.1 VJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
标称参考电压:5.1 V最大反向电流:2 µA
反向测试电压:2 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:2%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

1N3511C 数据手册

 浏览型号1N3511C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N3511C的Datasheet PDF文件第3页 
1N3506C THRU 1N3534C  
SILICON ZENER DIODES  
LOW LEAKAGE  
400mW, 3.3 THRU 47 VOLT  
2% TOLERANCE  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N3506C series  
silicon Zener diode is a high quality voltage regulator  
designed for use in industrial, commercial, entertainment,  
and computer applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
DO-35 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
mW  
A
Power Dissipation  
P
400  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +200  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C) V =1.1V MAX @ I =200mA (for all types)  
A
F
F
ZENER  
VOLTAGE  
@ I  
MAXIMUM  
REVERSE  
CURRENT  
MAXIMUM  
ZENER  
IMPEDANCE  
TEST  
CURRENT  
V
Z
ZT  
TYPE  
MIN  
V
NOM  
V
MAX  
V
I
I
@
V
Z
@ I  
Ω
ZT  
R
R
ZT  
ZT  
mA  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
5.0  
5.0  
μA  
4.0  
V
1N3506C  
1N3507C  
1N3508C  
1N3509C  
1N3510C  
1N3511C  
1N3512C  
1N3513C  
1N3514C  
1N3515C  
1N3516C  
1N3517C  
1N3518C  
1N3519C  
1N3520C  
1N3521C  
1N3522C  
3.234  
3.528  
3.822  
4.214  
4.606  
4.998  
5.488  
6.076  
6.664  
7.350  
8.036  
8.918  
9.80  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
3.366  
3.672  
3.978  
4.386  
4.794  
5.202  
5.712  
6.324  
6.936  
7.650  
8.364  
9.282  
10.20  
11.22  
12.24  
13.26  
15.30  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
3.0  
4.0  
5.0  
6.0  
7.0  
7.0  
8.0  
9.0  
10  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
2.0  
0.4  
0.1  
5.0  
2.0  
5.0  
8.0  
3.0  
3.0  
4.0  
5.0  
6.0  
7.0  
8.0  
10  
5.0  
1.0  
0.5  
0.25  
0.025  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
10.78  
11.76  
12.74  
14.70  
11  
12  
13  
11  
12  
15  
13  
14  
R0 (15-April 2015)  

与1N3511C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N3511D NJSEMI

获取价格

Diode Zener Single 5.1V 5% 400mW 2-Pin DO-35
1N3511E3 MICROSEMI

获取价格

Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN
1N3511LEADFREE CENTRAL

获取价格

Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
1N3511TR CENTRAL

获取价格

Zener Diode, 5.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
1N3511TRLEADFREE CENTRAL

获取价格

Zener Diode, 5.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
1N3511TR-RECU CENTRAL

获取价格

Zener Diode, 5.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
1N3511TR-RMCU CENTRAL

获取价格

Zener Diode, 5.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
1N3512 CENTRAL

获取价格

Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
1N3512 HITACHI

获取价格

Zener Diode, 5.6V V(Z), 2%, 0.4W
1N3512 NJSEMI

获取价格

Diode Zener Single 5.6V 5% 400mW 2-Pin DO-35