生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.71 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 14 Ω |
最大正向电压 (VF): | 1.1 V | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-PALF-W2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.4 W |
标称参考电压: | 5.1 V | 最大反向电流: | 2 µA |
反向测试电压: | 2 V | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 最大电压容差: | 2% |
工作测试电流: | 20 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N3511D | NJSEMI |
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Diode Zener Single 5.1V 5% 400mW 2-Pin DO-35 | |
1N3511E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN | |
1N3511LEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, | |
1N3511TR | CENTRAL |
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Zener Diode, 5.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, | |
1N3511TRLEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 5.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, | |
1N3511TR-RECU | CENTRAL |
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Zener Diode, 5.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, | |
1N3511TR-RMCU | CENTRAL |
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Zener Diode, 5.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, | |
1N3512 | CENTRAL |
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Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, | |
1N3512 | HITACHI |
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Zener Diode, 5.6V V(Z), 2%, 0.4W | |
1N3512 | NJSEMI |
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Diode Zener Single 5.6V 5% 400mW 2-Pin DO-35 |