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1N3350B

更新时间: 2024-11-04 22:37:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 89K
描述
SILICON 50 WATT ZENER DIODES

1N3350B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-5
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.18
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-203ABJESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:1封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:50 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:200 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:65 mABase Number Matches:1

1N3350B 数据手册

 浏览型号1N3350B的Datasheet PDF文件第2页 

1N3350B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N3350B MICROSEMI

完全替代

Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5, DO-5, 1 PIN
NTE5296A NTE

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