是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-5 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.18 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-203AB | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 1 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 50 W | 认证状态: | Not Qualified |
标称参考电压: | 200 V | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 5% |
工作测试电流: | 65 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JAN1N3350B | MICROSEMI |
完全替代 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5, DO-5, 1 PIN | |
NTE5296A | NTE |
类似代替 |
50 Watt Zener Diodes 【5% Tolerance |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N3350BCOX.120 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, | |
1N3350BCOX.160 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, | |
1N3350BCOX.200 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, | |
1N3350BCOX.250 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, | |
1N3350BLEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5, HERMETICALLY SEALED, METAL | |
1N3350BR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5 | |
1N3350C | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 | |
1N3350CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL | |
1N3350COX.120 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 20%, Silicon, Unidirectional, | |
1N3350COX.200 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 20%, Silicon, Unidirectional, |