是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-5 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.21 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 600 Ω |
JEDEC-95代码: | DO-5 | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 50 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 200 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | MATTE TIN (315) |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 最大电压容差: | 5% |
工作测试电流: | 65 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N3350BR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5 | |
1N3350C | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
1N3350CE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL | |
1N3350COX.120 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 20%, Silicon, Unidirectional, | |
1N3350COX.200 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 20%, Silicon, Unidirectional, | |
1N3350COX.250 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 20%, Silicon, Unidirectional, | |
1N3350DE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL | |
1N3350R | NAINA |
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50W ZENER(DO5) | |
1N3350R | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 20%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, META | |
1N3350R | MOTOROLA |
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Zener Diode, 200V V(Z), 20%, 50W, Silicon, Unidirectional |