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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-5 | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| 针数： | 1 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.5 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | PD-CASE | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 100 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-203AB | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 膝阻抗最大值： | 600 Ω | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 50 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 200 V | 最大反向电流： | 10 µA |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 电压温度Coeff-Max： | 200 mV/ °C | 最大电压容差： | 20% |
| 工作测试电流： | 65 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3350RA | NAINA |
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50W ZENER(DO5) |
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| 1N3350RA | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 10%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, META |
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| 1N3350RAE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 10%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, META |
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| 1N3350RB | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5, HERMETICALLY SEALED, METAL |
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| 1N3350RB | NAINA |
获取价格 |
50W ZENER(DO5) |
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| 1N3350RBE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL |
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| 1N3350RBLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5, HERMETICALLY SEALED, METAL |
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| 1N3350RC | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL |
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| 1N3350RCE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL |
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| 1N3350RD | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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