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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-MEDB-N2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 200 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 65 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3350BCOX.200 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, |
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| 1N3350BCOX.250 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, |
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| 1N3350BLEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5, HERMETICALLY SEALED, METAL |
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| 1N3350BR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5 |
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| 1N3350C | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N3350CE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL |
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| 1N3350COX.120 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 200V V(Z), 20%, Silicon, Unidirectional, |
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| 1N3350COX.200 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 20%, Silicon, Unidirectional, |
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| 1N3350COX.250 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 20%, Silicon, Unidirectional, |
|
| 1N3350DE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL |
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