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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-5 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 50 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 200 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 10% | 工作测试电流： | 65 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3350B | NAINA |
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50W ZENER(DO5) |
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| 1N3350B | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 50 WATT ZENER DIODES |
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| 1N3350B | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5, HERMETICALLY SEALED, METAL |
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| 1N3350B | NJSEMI |
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Diode Zener Single 200V 5% 50W 2-Pin DO-5 |
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| 1N3350BCOX.120 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, |
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| 1N3350BCOX.160 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, |
|
| 1N3350BCOX.200 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, |
|
| 1N3350BCOX.250 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, |
|
| 1N3350BLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5, HERMETICALLY SEALED, METAL |
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| 1N3350BR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5 |
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