是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-MUPM-H1 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.79 | 应用: | HIGH POWER |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.3 V | JEDEC-95代码: | DO-9 |
JESD-30 代码: | O-MUPM-H1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 5000 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 190 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 250 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压: | 50 V |
最大反向电流: | 75 µA | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N2055 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N2055 | DIGITRON |
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Rectifier, High Power; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 250; Max TMS Bridge Input Volt | |
1N2055 | VISHAY |
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DIODE 250 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, DO-9, 1 PIN, Rectifier Diode | |
1N2055E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 100V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN | |
1N2055IL | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 100V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN | |
1N2055R | VISHAY |
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DIODE 250 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, DO-9, 1 PIN, Rectifier Diode | |
1N2055R | DIGITRON |
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Rectifier, High Power; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 250; Max TMS Bridge Input Volt | |
1N2055RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 100V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN | |
1N2055RIL | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 275A, 100V V(RRM), | |
1N2056 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |