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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-9 |
| 包装说明： | O-MUPM-H1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.68 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-205AB | JESD-30 代码： | O-MUPM-H1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 4500 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最大输出电流： | 250 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N2057E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| 1N2057IL | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| 1N2057R | DIGITRON |
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Rectifier, High Power; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 250; Max TMS Bridge Input Volt |
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| 1N2057R | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| 1N2057RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| 1N2057RIL | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 275A, 200V V(RRM), |
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| 1N2058 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N2058E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 250V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| 1N2058IL | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 250V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| 1N2058ILE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 250V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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