5秒后页面跳转
1N2056ILE3 PDF预览

1N2056ILE3

更新时间: 2024-11-25 07:17:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 软恢复二极管软恢复能力电源
页数 文件大小 规格书
2页 135K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 150V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN

1N2056ILE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:DO-9, 1 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.68
Is Samacsys:N应用:SOFT RECOVERY POWER
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-205ABJESD-30 代码:O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流:5000 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:190 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:275 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压:150 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N2056ILE3 数据手册

 浏览型号1N2056ILE3的Datasheet PDF文件第2页 

与1N2056ILE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N2056R ETC

获取价格

Standard Rectifier (trr more than 500ns)
1N2056RIL MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 275A, 150V V(RRM),
1N2057 DIGITRON

获取价格

Rectifier, High Power; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 250; Max TMS Bridge Input Volt
1N2057 VISHAY

获取价格

DIODE 250 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, DO-9, 1 PIN, Rectifier Diode
1N2057 MICROSEMI

获取价格

SILICON POWER RECTIFIER
1N2057E3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN
1N2057IL MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN
1N2057R DIGITRON

获取价格

Rectifier, High Power; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 250; Max TMS Bridge Input Volt
1N2057R INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN
1N2057RE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN