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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.25 | 配置： | SINGLE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V |
| 最大非重复峰值正向电流： | 5000 A | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 190 °C | 最大输出电流： | 275 A |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N2056 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N2056E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 150V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| 1N2056IL | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 150V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| 1N2056ILE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 150V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| 1N2056R | ETC |
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Standard Rectifier (trr more than 500ns) |
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| 1N2056RIL | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 275A, 150V V(RRM), |
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| 1N2057 | DIGITRON |
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Rectifier, High Power; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 250; Max TMS Bridge Input Volt |
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| 1N2057 | VISHAY |
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DIODE 250 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, DO-9, 1 PIN, Rectifier Diode |
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| 1N2057 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N2057E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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