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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.44 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | GERMANIUM |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-7 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 75 °C | 最低工作温度： | -50 °C |
| 最大输出电流： | 0.05 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大功率耗散： | 0.08 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 70 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.5 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N192TR | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 70V V(RRM), Germanium, DO-7 |
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| 1N194 | ETC |
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silicon diode |
|
| 1N195 | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
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| 1N1956B | NJSEMI |
获取价格 |
Ref/Reg Diode |
|
| 1N196 | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
|
| 1N198 | NJSEMI |
获取价格 |
GERMANJUM DIODE |
|
| 1N198A | ETC |
获取价格 |
GOLD BONDED DIODES |
|
| 1N198B | ETC |
获取价格 |
GOLD BONDED DIODES |
|
| 1N19-AP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R- |
|
| 1N19-B | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS |
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