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1N19-I

更新时间： 2024-09-13 21:14:35
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 80K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon,

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1N19-I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N19-I 数据手册

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1N17  
THRU  
1N19  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* Low power loss, high efficiency  
* Low leakage  
* Low forward voltage  
* High current capability  
* High speed switching  
* High surge capabitity  
* High reliability  
R-1  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
.025 (0.64)  
.021 (0.53)  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
DIA.  
.787 (20.0)  
MIN.  
* Weight: 0.12 gram  
.126 (3.2)  
.106 (2.7)  
.102 (2.6)  
.091 (2.3)  
DIA.  
.787 (20.0)  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
resistive or inductive load.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
O
MAXIMUM RATINGS (@ T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
1N17  
20  
1N18  
30  
UNITS  
Volts  
Volts  
Volts  
RATINGS  
1N19  
40  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
RRM  
V
14  
21  
28  
RMS  
V
DC  
20  
30  
40  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current  
I
1.0  
20  
Amps  
O
O
.375” (9.5mm) lead length at T =90 C  
L
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
I2T  
Amps  
A2S  
1.6  
60  
Typical Current Squared Time  
R
θJA  
0 C/W  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
R
20  
110  
150  
θJL  
C
J
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
pF  
0 C  
0 C  
T
J
T
-55 to + 150  
STG  
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(@T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.1A DC  
SYMBOL  
UNITS  
Volts  
1N17  
.45  
1N18  
.55  
1N19  
.60  
V
V
F
F
.75  
0.875  
0.90  
Volts  
@T = 25oC  
Maximum Average Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
A
0.2  
10  
mAmps  
mAmps  
I
R
@T = 100oC  
A
NOTES : 1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
2. “Fully ROHS compliant”, “100% Sn plating (Pb-free)”.  
2009-10  
REV:A  
3. Thermal Resistance : At 9.5mm lead lengths, PCB mounted.  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N19-J RECTRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon,
1N1N0G DIODES

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 		3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1N1N1G DIODES

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