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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.77 V |
| JEDEC-95代码： | DO-4 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 800 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 25 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 参考标准： | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压： | 30 V |
| 最大反向电流： | 3000 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5830R | NAINA |
获取价格 |
Schottky Power Diode, 25A |
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| 1N5830R | TRSYS |
获取价格 |
SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 25 A |
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| 1N5831 | NAINA |
获取价格 |
SCHOTTKY RECTIFIER |
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| 1N5831 | TRSYS |
获取价格 |
SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 25 A |
|
| 1N5831 | MICROSEMI |
获取价格 |
25 Amp Schottky Rectifier |
|
| 1N5831 | MCC |
获取价格 |
25 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 35 Volts |
|
| 1N5831 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4 |
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| 1N5831_1 | NAINA |
获取价格 |
Schottky Barrier Rectifier Diode |
|
| 1N5831R | TRSYS |
获取价格 |
SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 25 A |
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| 1N5831R | NAINA |
获取价格 |
Schottky Power Diode, 25A |
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