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1N5834

更新时间： 2024-01-09 09:35:26

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NAINA		二极管
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2页	118K
描述
Schottky Power Diode, 40A

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1N5834 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.18 V
JEDEC-95代码：	DO-5	JESD-30 代码：	O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：	800 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	40 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向电流：	20000 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5834 数据手册

1N5832 thru

1N5834R

Naina Semiconductor Ltd.

Schottky Power Diode, 40A

Features

•

Fast Switching

Low forward voltage drop

High surge capability

High efficiency, low power loss

Normal and Reverse polarity

DO-203AB (DO-5)

Maximum Ratings (T_J= 25^oC, unless otherwise noted)

Parameter

Test Conditions

Symbol 1N5832(R)

1N5833(R)

1N5834(R)

Units

Repetitive peak reverse voltage

RMS reverse voltage

DC blocking voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

I_F

Continuous forward current

T_C≤ 100^oC

T_C= 25^oC

Surge non-repetitive forward

current, half-sine wave

I_FSM

V_F

800

I_F= 40 A

T_J= 25^oC

V_R= 10V, T_J= 25^oC

V_R= 10V, T_J= 125^oC

Forward voltage

Reverse current

0.52

0.55

0.58

I_R

250

Thermal & Mechanical Specifications (T_J= 25^oC, unless otherwise noted)

Parameters

Symbol 1N5832(R) 1N5833(R) 1N5834(R)

Units

^oC/W

^oC

Maximum thermal resistance, junction to case

Operating junction temperature range

Storage temperature

R_th(JC)

T_J

1.5

-65 to 150

-65 to 175

4.0

T_stg

^oC

Mounting torque (non-lubricated threads)

Approximate allowable weight

17.0

D-95, Sector 63, Noida – 201301, India

•

Tel: 0120-4205450

•

Fax: 0120-4273653

sales@nainasemi.com

•

www.nainasemi.com

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