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1N5913

更新时间: 2024-02-07 13:55:50
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美高森美 - MICROSEMI /
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3页 93K
描述
SILICON 1.5 WATT ZENER DIODES

1N5913 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.69
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:10 Ω最大正向电压 (VF):1.5 V
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0膝阻抗最大值:500 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.5 W
标称参考电压:3.3 V最大反向电流:100 µA
反向测试电压:1 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:1%
工作测试电流:113.6 mABase Number Matches:1

1N5913 数据手册

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