1N5913B

更新时间： 2024-11-20 07:22:43

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EIC		稳压二极管齐纳二极管测试
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描述
SILICON ZENER DIODES

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1N5913B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	10 Ω
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	1.5 W	标称参考电压：	3.3 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	113.6 mA
Base Number Matches：	1

1N5913B 数据手册

Certificate TH97/10561QM

Certificate TW00/17276EM

SILICON ZENER DIODES

1N5913B - 1N5957B

DO - 41

VZ : 3.3 - 240 Volts

P^D: 3 Watts

1.00 (25.4)

0.108 (2.74)

MIN.

FEATURES :

0.079 (1.99)

* Complete Voltage Range 3.3 to 200 Volts

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

0.205 (5.20)

0.161 (4.10)

* Low leakage current

* Pb / RoHS Free

1.00 (25.4)

0.034 (0.86)

MIN.

0.028 (0.71)

MECHANICAL DATA

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

method 208 guaranteed

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.335 gram

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Symbol

Value

Unit

P_D

Maximum Steady state Power Dissipation

@ T_L= 75 ºC, Lead Length = 3/8"

Derate above 75 ºC

3.0

mW/ºC

P_D

Steady State Power Dissipation

@ T_L= 50 ºC, Lead Length = 3/8"

Derate above 50 ºC

1.0

6.67

mW/ºC

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

- 65 to + 200

Page 1 of 4

Rev. 07 : June 7, 2006

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