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1N5908

更新时间: 2024-11-19 22:29:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N5908 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.63
Is Samacsys:N其他特性:TEMPERATURE COEFFICIENT IS DERIVED FROM MINIMUM BREAK-DOWN VOLTAGE
最小击穿电压:6 V击穿电压标称值:6 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:7.6 V
配置:SINGLE最小二极管电容:15000 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.52 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:5 V
最大反向电流:300 µA子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

1N5908 数据手册

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