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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N3070
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1N3070

更新时间： 2024-11-13 22:37:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 信号二极管
页数 文件大小 规格书
2页 28K
描述
Small Signal Diode

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1N3070 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-35
包装说明：DO-35, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：8.56
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-XALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C最大输出电流：0.5 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE

1N3070 数据手册

 浏览型号1N3070的Datasheet PDF文件第2页 
1N3070  
DO-35  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
Small Signal Diode  
Absolute Maximum Ratings *  
T
= 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Value  
200  
Units  
V
V
RRM  
I
I
500  
mA  
F(AV)  
FSM  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
1.0  
4.0  
A
A
Pulse Width = 1.0 microsecond  
T
T
Storage Temperature Range  
-65 to +200  
175  
°C  
°C  
STG  
J
Operating Junction Temperature  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.  
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
500  
Units  
mW  
°C  
P
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
D
R
300  
θJA  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Units  
V
V
Breakdown Voltage  
I
I
= 100µA  
200  
V
V
R
R
Forward Voltage  
Reverse Leakage  
= 100mA  
1.0  
F
F
I
V
V
= 175V  
= 175V, T = 150°C  
100  
100  
nA  
µA  
R
R
R
A
C
Total Capacitance  
V
= 0V, f = 1.0MHz  
5
pF  
ns  
T
R
t
Reverse Recovery Time  
I
= I = 30mA, RL = 100Ω  
50  
rr  
F
R
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
1N3070, Rev. A  
12

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