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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.33 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3070-1 | MICROSEMI |
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SWITCHING DIODE |
|
| 1N3070BKLEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
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| 1N3070T26R | TI |
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200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1N3070T50R | TI |
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200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1N3070TR | FAIRCHILD |
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Maximum Repetitive Reverse Voltage |
|
| 1N3070TR | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070TR | ONSEMI |
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高电导快速二极管 |
|
| 1N3070TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070TR-RECU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070TR-RMCU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
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