5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-7 |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.31 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 175 V | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N3070-1 | MICROSEMI |
功能相似  |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3070BKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070T26R | TI |
获取价格 |
200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1N3070T50R | TI |
获取价格 |
200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1N3070TR | FAIRCHILD |
获取价格 |
Maximum Repetitive Reverse Voltage |
|
| 1N3070TR | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070TR | ONSEMI |
获取价格 |
高电导快速二极管 |
|
| 1N3070TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070TR-RECU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070TR-RMCU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
