5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.33 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.15 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3070TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070TR-RECU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070TR-RMCU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N3070X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N3071 | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
|
| 1N3081 | NJSEMI |
获取价格 |
D0-13 |
|
| 1N3082 | NJSEMI |
获取价格 |
Si Rectifier , 200mA < I(0)/I|
|
|
| 1N3085 | NJSEMI |
获取价格 |
150 Amp Avg Silicon Rectifier Diode |
|
| 1N3085 | INFINEON |
获取价格 |
150AMP AVG SILICON RECTIFIER DIODES |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
