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1N3070TR

更新时间: 2024-01-13 23:10:46
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CENTRAL 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35,

1N3070TR 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70Factory Lead Time:18 weeks
风险等级:1.19Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大输出电流:0.5 A
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.05 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)Base Number Matches:1

1N3070TR 数据手册

  

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