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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.48 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | HIGH VOLTAGE |
| 最小击穿电压： | 200 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 4 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 175 V | 最大反向电流： | 0.1 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 反向测试电压： | 175 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N3070TR | ONSEMI |
功能相似  |
高电导快速二极管 |
|
| 1N3070 | FAIRCHILD |
功能相似 |
Small Signal Diode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3070.TR | TI |
获取价格 |
200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1N3070-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N3070BKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070T26R | TI |
获取价格 |
200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1N3070T50R | TI |
获取价格 |
200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1N3070TR | FAIRCHILD |
获取价格 |
Maximum Repetitive Reverse Voltage |
|
| 1N3070TR | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070TR | ONSEMI |
获取价格 |
高电导快速二极管 |
|
| 1N3070TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N3070TR-RECU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
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