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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.62 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 220 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 62.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 19N10G-TA3-T | UTC |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| 19N10G-TF1-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
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| 19N10G-TF3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
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| 19N10G-TM3-T | UTC |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| 19N10G-TMS2-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
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| 19N10G-TMS4-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
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| 19N10G-TMS-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
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| 19N10G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| 19N10G-TQ2-R | UTC |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| 19N10G-TQ2-T | UTC |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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