是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-251 | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.62 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 220 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 15.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.1 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-251 |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 62.4 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
19N10G-TMS2-T | UTC |
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N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE | |
19N10G-TMS4-T | UTC |
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N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE | |
19N10G-TMS-T | UTC |
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N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE | |
19N10G-TN3-R | UTC |
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100V N-Channel MOSFET | |
19N10G-TQ2-R | UTC |
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100V N-Channel MOSFET | |
19N10G-TQ2-T | UTC |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET | |
19N10L | UTC |
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100V N-Channel MOSFET | |
19N10L-T3P-T | UTC |
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100V N-Channel MOSFET | |
19N10L-TA3-T | UTC |
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100V N-Channel MOSFET | |
19N10L-TF1-T | UTC |
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N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |