是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.62 |
雪崩能效等级(Eas): | 220 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 15.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.1 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 62.4 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
19N10L-TQ2-R | UTC |
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100V N-Channel MOSFET | |
19N10L-TQ2-T | UTC |
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100V N-Channel MOSFET | |
19N10-TM3-T | UTC |
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100V N-Channel MOSFET | |
19N10V | UTC |
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100V N-Channel MOSFET | |
19N10VG-TM3-T | UTC |
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100V N-Channel MOSFET | |
19N10VG-TN3-R | UTC |
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100V N-Channel MOSFET | |
19N10VL-TM3-T | UTC |
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100V N-Channel MOSFET | |
19N10VL-TN3-R | UTC |
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100V N-Channel MOSFET | |
19N20 | FAIRCHILD |
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200V N-CHANNEL MOSFET | |
19N402 | ETC |
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LICON. SNAP ACTION SWITCHES |