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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 19N10L-TN3-R
19N10L-TN3-R PDF预览

19N10L-TN3-R

更新时间： 2024-01-15 21:02:28
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友顺 - UTC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 227K
描述
100V N-Channel MOSFET

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19N10L-TN3-R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
雪崩能效等级（Eas）：220 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：15.6 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：62.4 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

19N10L-TN3-R 数据手册

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19N10  
Power MOSFET  
„
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDSS  
VGSS  
ID  
RATINGS  
100  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
± 25  
V
Continuous Drain Current  
15.6  
A
Pulsed Drain Current (Note 2)  
Avalanche Current (Note 2)  
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3)  
Repetitive Avalanche Energy (Note 2)  
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4)  
TO-251/TO-252  
IDM  
62.4  
A
IAR  
15.6  
A
EAS  
220  
mJ  
mJ  
V/ns  
W
EAR  
5.0  
dv/dt  
6.0  
50  
Power Dissipation  
TO-220/TO-263  
PD  
62.5  
W
178  
W
TO-3P  
Junction Temperature  
TJ  
+150  
-55 ~ +150  
°C  
°C  
Storage Temperature  
TSTG  
Note:1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.  
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.  
2. Pulse width limited by TJ(MAX)  
3. L=1.35mH, IAS=15.6A, VDD=25V, RG=25 ꢀ, Starting TJ=25°C  
4. ISD≤19A, di/dt ≤ 300A/µs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25°C  
„
THERMAL DATA  
PARAMETER  
SYMBOL  
RATINGS  
50  
UNIT  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
TO-251/TO-252  
TO-220/TO-263  
TO-3P  
Junction to Ambient  
Junction to Case  
θJA  
62.5  
40  
TO-251/TO-252  
TO-220/TO-263  
TO-3P  
2.5  
θJC  
2.0  
0.7  
„
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ=25°C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN TYP MAX UNIT  
OFF CHARACTERISTICS  
VGS=0V, ID=250µA  
ID=250µA,  
Referenced to 25°C  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
BVDSS  
100  
V
∆BVDSS/∆TJ  
V/°C  
0.1  
VDS=100V, VGS=0V  
Drain-Source Leakage Current  
IDSS  
IGSS  
1
µA  
nA  
VGS=25V, VDS=0V  
VGS=-25V, VDS=0V  
Forward  
Reverse  
100  
-100  
Gate-Source Leakage Current  
ON CHARACTERISTICS  
V
V
V
DS=VGS, ID=250µA  
Gate Threshold Voltage  
VGS(TH)  
RDS(ON)  
gFS  
2.0  
4.0  
0.1  
11  
V
ꢀ
S
GS=10V, ID=7.8A  
0.078  
Static Drain-Source On-Resistance  
Forward Transconductance  
DYNAMIC PARAMETERS  
Input Capacitance  
DS=40V, ID=7.8A (Note 1)  
CISS  
COSS  
CRSS  
600  
165  
32  
780  
215  
40  
pF  
pF  
pF  
VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
www.unisonic.com.tw  
2 of 6  
QW-R502-261.D  
123456

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