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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 220 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 62.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 19N10L-TA3-T | UTC |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| 19N10L-TF1-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
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| 19N10L-TF3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
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| 19N10L-TM3-T | UTC |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| 19N10L-TMS2-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
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| 19N10L-TMS4-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
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| 19N10L-TMS-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
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| 19N10L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| 19N10L-TQ2-R | UTC |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| 19N10L-TQ2-T | UTC |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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