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11EQS06

更新时间： 2024-02-16 19:23:42

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森美特 - SUNMATE		二极管
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2页	1503K
描述
1A Plug-in Schottky diode 60V R-1 series

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11EQS06 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-XALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.58 V	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	25 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	60 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

11EQS06 数据手册

11EQS03 - 11EQS10

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES

VOLTAGE RANGE: 30 - 100V

CURRENT: 1.0 A

R-1

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

1.0 (25.4)

MIN.

High Current Capability

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Current Capability

0.102 (2.6)

0.091 (2.3)

DIA.

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

0.140(3.50)

0.114(2.90)

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

Protection Applications

Mechanical Data

1.0 (25.4)

MIN.

Case: R-1 molded plastic body

Terminals: Plated axial leads, solderable

per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity: Color band denotes cathode end

Mounting Position: Any

Weight:0.007 ounce, 0.20 grams

0.025 (0.60)

0.021 (0.50)

DIA.

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^T_A= 25ꢀC unless otherwise specified

For capacitive load, derate current by 20%.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

Characteristic

Symbol

11EQS03

11EQS04

11EQS06

11EQS10

100

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

Average Rectified Output Current @T_L= 100°C

(Note 1)

1.0

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

Single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

I^FSM

Forward Voltage

@I_F= 1.0A

V^FM

I^RM

C^j

0.50

0.70

0.85

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

0.5

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Typical Thermal Resistance (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

110

R^ꢀ^JL

R^ꢀ^JA

°C/W

°C

T^j, T^STG

-65 to +150

Note: 1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

1 of 2

www.sunmate.tw

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与11EQS06相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
11EQS06_15	NI	SBD	获取价格
11EQS06_2015	NI	SBD	获取价格
11EQS06TA1B2	NIEC	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.8A, 60V V(RRM), Silicon,	获取价格
11EQS06TA2B5	NIEC	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.8A, 60V V(RRM), Silicon	获取价格
11EQS09	NIEC	SBD	获取价格
11EQS09TA1B2	NIEC	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon,	获取价格

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