11ES2

更新时间： 2024-01-17 09:28:11

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EIC		整流二极管
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SILICON RECTIFIER DIODES

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11ES2 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	45 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	0.98 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

11ES2 数据手册

SILICON RECTIFIER DIODES

11ES1 - 11ES2

DO - 41

PRV : 100 - 200 Volts

Io : 1.0 Ampere

1.00 (25.4)

0.107 (2.7)

MIN.

FEATURES :

0.080 (2.0)

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Pb / RoHS Free

1.00 (25.4)

0.034 (0.86)

MIN.

0.028 (0.71)

MECHANICAL DATA :

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.339 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

SYMBOL

11ES1

11ES2

UNIT

VRRM

VRMS

VDC

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

100

200

140

200

Volts

Amp.

Amps.

Volts

Maximum DC Blocking Voltage

100

Maximum Average Forward Current Ta = 50°C

Maximum Peak Forward Surge Current

Maximum Forward Voltage at IF = 1.0 Amp.

Maximum DC Reverse Current

1.0

IFSM

1.0

IRM

at rated DC Blocking Voltage

°C

Junction Temperature Range

- 65 to + 175

TSTG

Storage Temperature Range

Page 1 of 2

Rev. 02 : March 25, 2005

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