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11DQ10

更新时间: 2024-11-08 23:13:19
品牌 Logo 应用领域
NIEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 40K
描述
Low Forward Voltage drop Diode

11DQ10 数据手册

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SBD Type :11DQ10  
FEATURES  
OUTLINE DRAWING  
* Miniature Size  
* Low Forward Voltage drop  
* Low Power Loss, High Efficiency  
* High Surge Capability  
* 30 Volts thru 100 Volts Types Available  
* 52mm Inside Tape Spacing Package Available  
Maximum Ratings  
Approx Net Weight:0.32g  
Symbol  
VRRM  
11DQ10  
100  
Unit  
V
Rating  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Without Fin or  
1.0  
1.0  
Ta=35°C*  
Average Rectified  
Output Current  
P.C.Board  
P.C.Board  
mounted  
50Hz Half Sine  
Wave Resistive Load  
IO  
A
Ta=78°C*  
RMS Forward Current  
IF(RMS)  
IFSM  
1.57  
50Hz Half Sine Wave,1cycle,  
Non-repetitive  
A
A
Surge Forward Current  
40  
Operating JunctionTemperature Range  
Storage Temperature Range  
Tjw  
Tstg  
- 40 to + 150  
- 40 to + 150  
°C  
°C  
Electrical Thermal Characteristics  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max.  
Unit  
Characteristics  
Peak Reverse Current  
Peak Forward Voltage  
IRM  
VFM  
Tj= 25°C, VRM= VRRM  
Tj= 25°C, IFM= 1.0A  
Without Fin or P.C.Board  
P.C.Board mounted  
-
-
-
-
0.5  
0.85  
130  
81  
mA  
V
Thermal Resistance (Junction to Ambient) Rth(j-a)  
*:Print Lands=5x5mm,Both Sides  
-
-
°C/W  

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