11DQ10

更新时间： 2024-11-30 23:13:19

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NIEC		整流二极管
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6页	40K
描述
Low Forward Voltage drop Diode

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11DQ10 数据手册

SBD Type :11DQ10

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FEATURES

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* Miniature Size

* Low Forward Voltage drop

* Low Power Loss, High Efficiency

* High Surge Capability

* 30 Volts thru 100 Volts Types Available

* 52mm Inside Tape Spacing Package Available

Maximum Ratings

Approx Net Weight:0.32g

Symbol

V_RRM

11DQ10

100

Unit

Rating

Repetitive Peak Reverse Voltage

Without Fin or

1.0

Ta=35°C*

Average Rectified

Output Current

P.C.Board

mounted

50Hz Half Sine

Wave Resistive Load

I_O

Ta=78°C*

RMS Forward Current

I_F(RMS)

I_FSM

1.57

50Hz Half Sine Wave,1cycle,

Non-repetitive

Surge Forward Current

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

Tjw

Tstg

- 40 to + 150

°C

Electrical • Thermal Characteristics

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max.

Unit

Characteristics

Peak Reverse Current

Peak Forward Voltage

I_RM

V_FM

Tj= 25°C, V_RM= V_RRM

Tj= 25°C, I_FM= 1.0A

Without Fin or P.C.Board

P.C.Board mounted

0.5

0.85

130

Thermal Resistance (Junction to Ambient) Rth(j-a)

*:Print Lands=5x5mm,Both Sides

°C/W

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
11DQ10_15	NI	获取价格	SBD
11DQ10_2015	NI	获取价格	SBD
11DQ10-GT3	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.1A, Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2
11DQ10-M3	VISHAY	获取价格	Schottky Rectifier, 1.1 A
11DQ10PBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLAST
11DQ10TR	VISHAY	获取价格	Schottky Rectifier, 1.1 A
11DQ10TR	INFINEON	获取价格	SCHOTTKY RECTIFIER
11DQ10TR-M3	VISHAY	获取价格	Schottky Rectifier, 1.1 A
11DQ10TRPBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLAST
11DQ10TRPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述