11E1

更新时间： 2024-12-01 06:22:47

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EIC		整流二极管
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2页	36K
描述
SILICON RECTIFIER DIODES

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11E1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

11E1 数据手册

SILICON RECTIFIER DIODES

11E1 - 11E6

DO - 41

PRV : 100 - 600 Volts

Io : 1.0 Ampere

1.00 (25.4)

0.107 (2.7)

MIN.

FEATURES :

0.080 (2.0)

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Pb / RoHS Free

1.00 (25.4)

0.034 (0.86)

MIN.

0.028 (0.71)

MECHANICAL DATA :

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.339 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

SYMBOL

VRRM

VRMS

VDC

11E1

100

11E2

11E4

11E6

UNIT

200

400

600

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

140

200

280

400

420

600

100

Maximum DC Blocking Voltage

1.0

Maximum Average Forward Current Ta = 40°C

Maximum Peak Forward Surge Current

Maximum Forward Voltage at IF = 1.0 A

Maximum Reverse Current at V_R= V_RRM

Junction Temperature Range

IFSM

1.0

IRM

°C

- 65 to + 175

TSTG

Storage Temperature Range

Page 1 of 2

Rev. 04 : October 3, 2005

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