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11DQ09

更新时间: 2024-01-21 20:38:35
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NIEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 40K
描述
Low Forward Voltage drop Diode

11DQ09 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-41
包装说明:PLASTIC, DO-41, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.5
其他特性:HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-204ALJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:85 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:90 V表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

11DQ09 数据手册

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PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE  
Tj= 150 °C  
11DQ09  
5
2
1
0
20  
40  
60  
80  
100  
PEAK REVERSE VOLTAGE (V)  
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION  
11DQ09  
0.35  
0.30  
0.25  
0.20  
0.15  
0.10  
0.05  
0
D.C.  
RECT 300°  
RECT 240°  
RECT 180°  
HALF SINE WAVE  
0
20  
40  
60  
80  
100  
REVERSE VOLTAGE (V)  

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