11DQ10

更新时间： 2024-01-18 18:55:03

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威世 - VISHAY		整流二极管
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5页	79K
描述
Schottky Rectifier, 1.1 A

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11DQ10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.41
其他特性：	HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AL	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	85 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

11DQ10 数据手册

11DQ09, 11DQ10

Vishay High Power Products

Schottky Rectifier, 1.1 A

FEATURES

• Low profile, axial leaded outline

• High frequency operation

• Very low forward voltage drop

• High purity, high temperature epoxy encapsulation for

enhanced mechanical strength and moisture resistance

Cathode

Anode

• Guard ring for enhanced ruggedness and long term

reliability

DO-204AL

• Lead (Pb)-free plating

• Designed and qualified for industrial level

DESCRIPTION

PRODUCT SUMMARY

The 11DQ.. axial leaded Schottky rectifier has been

optimized for very low forward voltage drop, with moderate

leakage. Typical applications are in switching power

supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse

battery protection.

I_F(AV)

1.1 A

90/100 V

V_R

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

SYMBOL

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

CHARACTERISTICS

VALUES

1.1

UNITS

Rectangular waveform

90/100

t_p= 5 µs sine

1 Apk, T_J= 25 °C

Range

V_F

0.85

T_J

- 40 to 150

°C

VOLTAGE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

V_R

11DQ09

11DQ10

100

UNITS

Maximum DC reverse voltage

Maximum working peak reverse voltage

V_RWM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum average forward current

See fig. 4

I_F(AV)

50 % duty cycle at T_C= 75 °C, rectangular waveform

1.1

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

See fig. 6

Following any rated load

condition and with rated

5 µs sine or 3 µs rect. pulse

I_FSM

10 ms sine or 6 ms rect. pulse

T_J= 25 °C, I_AS= 0.5 A, L = 8 mH

_RRMapplied

Non-repetitive avalanche energy

Repetitive avalanche current

E_AS

I_AR

1.0

Current decaying linearly to zero in 1 µs

Frequency limited by T_Jmaximum V_A= 1.5 x V_Rtypical

0.5

Document Number: 93207

Revision: 06-Nov-08

For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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11DQ10_2015	NI	SBD	获取价格
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