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11DQ10

更新时间: 2024-01-09 18:35:48
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EIC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 35K
描述
Schottky Barrier Rectifiers

11DQ10 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-41
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.29
其他特性:FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.68 VJEDEC-95代码:DO-204AL
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:85 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
Base Number Matches:1

11DQ10 数据手册

 浏览型号11DQ10的Datasheet PDF文件第2页 
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER DIODES  
11DQ03 - 11DQ10  
PRV : 30 - 100 Volts  
IO : 1.1 Ampere  
DO - 41  
FEATURES :  
1.00 (25.4)  
MIN.  
* High current capability  
* High surge current capability  
* High reliability  
0.107 (2.74)  
0.080 (2.03)  
* High efficiency  
* Low power loss  
0.205 (5.20)  
0.160 (4.10)  
* Low forward voltage drop  
* Low cost  
* Pb / RoHS Free  
1.00 (25.4)  
MIN.  
0.034 (0.86)  
0.028 (0.71)  
MECHANICAL DATA :  
* Case : DO-41 Molded plastic  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,  
Method 208 guaranteed  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Polarity : Color band denotes cathode end  
* Mounting position : Any  
* Weight : 0.339 gram  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
11DQ 11DQ 11DQ 11DQ 11DQ 11DQ  
RATING  
SYMBOL  
UNIT  
03  
04  
05  
06  
09  
10  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
30  
40  
50  
60  
90  
100  
V
V
21  
30  
28  
40  
35  
50  
42  
60  
63  
90  
70  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
V
IF(AV)  
Ta  
Maximum Average Forward Current  
at Ambient Temperature  
1.1  
40  
A
58  
42  
25  
42  
°C  
Maximum Peak Forward Surge Current  
single half sine wave superimposed on rated load  
Maximum Forward Voltage at IF = 1.1 A  
Maximum Reverse Current at  
IFSM  
VF  
IR  
26  
0.56  
11  
A
V
0.52  
6
0.74  
6
mA  
Rated DC Blocking Voltage TJ = 125 °C  
Junction Temperature Range  
TJ  
- 40 to + 125  
- 65 to + 150  
°C  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Page 1 of 2  
Rev. 02 : March 25, 2005  

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