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ZXTD4591E6TC

更新时间： 2024-10-14 07:42:27

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	166K
描述
DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS

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ZXTD4591E6TC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.32	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN AND PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signals
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

ZXTD4591E6TC 数据手册

ZXTD4591E6

DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS

SUMMARY

NPN: V_CEO=60V; I_C= 1A; h_FE=100-300

PNP: V_CEO=-60V; I_C= -1A; h_FE=100-300

DESCRIPTION

Complementary NPN and PNP medium power transistors packaged in the 6

lead SOT23 package.

SOT23-6

FEATURES

•

Low Equivalent On Resistance - NPN R_CE(sat)210mΩ at 1A

- PNP _CE(sat)355mΩ at -1A

Low Saturation Voltage

•

h_FEcharacterised up to 2A

I_C=1A Continuous Collector Current

SOT23-6 package

APPLICATIONS

•

MOSFET gate driver

Low Power Motor Drive

Low Power DC-DC Converters

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL SIZE

(inches)

TAPE WIDTH

(mm)

QUANTITY

PER REEL

Top View

ZXTD4591E6TA

ZXTD4591E6TC

8mm embossed

3000 units

10000 units

DEVICE MARKING

4591

ISSUE 1 - JULY 2000

12 3 4 5 6 7

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ZXTD4591E6TC 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZXTD4591E6TA	DIODES	类似代替	DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS

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