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ZXTD4591E6TA

更新时间: 2024-02-02 07:13:48
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美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
7页 166K
描述
DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS

ZXTD4591E6TA 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:1.1Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:ReleasedSamacsys PartID:342210
Samacsys Pin Count:6Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:SOT23 (6-Pin)Samacsys Footprint Name:SOT-23-6
Samacsys Released Date:2020-02-25 09:28:32Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):15
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN AND PNP最大功率耗散 (Abs):1.7 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signals
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
Base Number Matches:1

ZXTD4591E6TA 数据手册

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ZXTD4591E6  
DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS  
SUMMARY  
NPN: VCEO=60V; IC= 1A; hFE=100-300  
PNP: VCEO=-60V; IC= -1A; hFE=100-300  
DESCRIPTION  
Complementary NPN and PNP medium power transistors packaged in the 6  
lead SOT23 package.  
SOT23-6  
FEATURES  
Low Equivalent On Resistance - NPN RCE(sat) 210mat 1A  
- PNP CE(sat) 355mat -1A  
R
C2  
C1  
Low Saturation Voltage  
B1  
B2  
hFE characterised up to 2A  
IC=1A Continuous Collector Current  
SOT23-6 package  
E1  
E2  
APPLICATIONS  
MOSFET gate driver  
Low Power Motor Drive  
Low Power DC-DC Converters  
C1  
E1  
ORDERING INFORMATION  
B1  
C2  
B2  
E2  
DEVICE  
REEL SIZE  
(inches)  
TAPE WIDTH  
(mm)  
QUANTITY  
PER REEL  
Top View  
ZXTD4591E6TA  
ZXTD4591E6TC  
7
8mm embossed  
8mm embossed  
3000 units  
10000 units  
13  
DEVICE MARKING  
4591  
ISSUE 1 - JULY 2000  
1

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