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ZXTD4591E6TC

更新时间: 2024-10-13 22:11:03
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 165K
描述
DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS

ZXTD4591E6TC 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.33
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):15JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs):1.7 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

ZXTD4591E6TC 数据手册

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ZXTD4591E6  
DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS  
SUMMARY  
NPN: VCEO=60V; IC= 1A; hFE=100-300  
PNP: VCEO=-60V; IC= -1A; hFE=100-300  
DESCRIPTION  
Complementary NPN and PNP medium power transistors packaged in the 6  
lead SOT23 package.  
SOT23-6  
FEATURES  
Low Equivalent On Resistance - NPN RCE(sat) 210mat 1A  
- PNP CE(sat) 355mat -1A  
R
C2  
C1  
Low Saturation Voltage  
B1  
B2  
hFE characterised up to 2A  
IC=1A Continuous Collector Current  
SOT23-6 package  
E1  
E2  
APPLICATIONS  
MOSFET gate driver  
Low Power Motor Drive  
Low Power DC-DC Converters  
C1  
E1  
ORDERING INFORMATION  
B1  
C2  
B2  
E2  
DEVICE  
REEL SIZE  
(inches)  
TAPE WIDTH  
(mm)  
QUANTITY  
PER REEL  
Top View  
ZXTD4591E6TA  
ZXTD4591E6TC  
7
8mm embossed  
8mm embossed  
3000 units  
10000 units  
13  
DEVICE MARKING  
4591  
ISSUE 1 - JULY 2000  
1

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