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ZXT13N50DE6TC

更新时间： 2024-10-30 07:42:27

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美台 - DIODES		晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	421K
描述
50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

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ZXT13N50DE6TC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.34
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.7 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	AEC-Q101	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	115 MHz
Base Number Matches：	1

ZXT13N50DE6TC 数据手册

ZXT13N50DE6

SuperSOT4™

50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

SUMMARY

V_CEO=50V; R_SAT= 36m ; I_C= 4A

DESCRIPTION

This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex

matrix structure combined with advanced assembly techniques to give

extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low

voltage switching applications.

SOT23-6

FEATURES

•

Extremely Low Equivalent On Resistance

Extremely Low Saturation Voltage

h_FEcharacterised up to 10A

I_C=4A Continuous Collector Current

SOT23-6 package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Management Functions

Power switches

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL SIZE

(inches)

TAPE WIDTH

(mm)

QUANTITY

PER REEL

ZXT13N50DE6TA

ZXT13N50DE6TC

8mm embossed

3000 units

10000 units

Top View

DEVICE MARKING

N50D

ISSUE 1 - NOVEMBER 1999

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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