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ZXT13P12DE6TC

更新时间： 2024-10-14 07:42:27

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美台 - DIODES		晶体开关晶体管光电二极管
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6页	415K
描述
12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

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ZXT13P12DE6TC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.35	最大集电极电流 (IC)：	4 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

ZXT13P12DE6TC 数据手册

ZXT13P12DE6

SuperSOT4™

12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

SUMMARY

V_CEO=-12V; R_SAT= 37m ; I_C= -4A

DESCRIPTION

This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex

matrix structure combined with advanced assembly techniques to give

extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low

voltage switching applications.

SOT23-6

FEATURES

•

Extremely Low Equivalent On Resistance

Extremely Low Saturation Voltage

h_FEcharacterised up to 15A

I_C=4A Continuous Collector Current

SOT23-6 package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Management Functions

Power switches

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL SIZE

(inches)

TAPE WIDTH

(mm)

QUANTITY

PER REEL

ZXT13P12DE6TA

ZXT13P12DE6TC

8mm embossed

3000 units

10000 units

Top View

DEVICE MARKING

P12D

ISSUE 1 - DECEMBER 1999

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZXT13P20DE6	DIODES	获取价格	20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT13P20DE6	ZETEX	获取价格	20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT13P20DE6TA	DIODES	获取价格	20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
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ZXT13P40DE6	DIODES	获取价格	40V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT13P40DE6Q	DIODES	获取价格	PNP, 40V, 3A, SOT26
ZXT13P40DE6QTA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,