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ZXT10N50DE6TA

更新时间: 2024-10-28 07:42:27
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美台 - DIODES 晶体开关晶体管功率双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 228K
描述
50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

ZXT10N50DE6TA 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SUPERSOT-6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:1.06
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):165 MHz
Base Number Matches:1

ZXT10N50DE6TA 数据手册

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ZXT10N50DE6  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
ISSUE 1 - SEPTEMBER 2000  
5

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