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ZXMP10A13FTC

更新时间： 2024-02-21 12:28:08

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	208K
描述
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMP10A13FTC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.7 A	最大漏极电流 (ID)：	0.7 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMP10A13FTC 数据手册

ZXMP10A13F

100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

= - 100V : R

(

)= 1 ; I = - 0.7A

(BR)DSS

DS on D

DESCRIPTION

This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that

combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes

them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

FEATURES

SOT23

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low threshold

• Low gate drive

• SOT23 package

APPLICATIONS

• DC-DC Converters

• Power Managem ent functions

• Disconnect switches

• Motor control

PINOUT

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMP10A13FTA

7”

8m m

3000 units

10000units

ZXMP10A13FTC

13”

DEVICE MARKING

• 7P1

ISSUE 1 - MARCH 2005

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6 7

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ZXMP10A13FTC 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZXMP10A13FTA	DIODES	功能相似	100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ZXMP10A17E6	ZETEX	获取价格	100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP10A17E6Q	DIODES	获取价格	100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP10A17E6QTA	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me