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ZXMP10A16KTC

更新时间： 2024-02-17 01:04:23

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	752K
描述
100V DPAK P-channel enhancement mode MOSFET

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ZXMP10A16KTC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	1.11	Is Samacsys：	N
其他特性：	FAST SWITCHING, LOW THRESHOLD	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	4.6 A
最大漏源导通电阻：	0.285 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15.4 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMP10A16KTC 数据手册

ZXMP10A16K

100V DPAK P-channel enhancement mode MOSFET

Summary

(⍀)

I (A)

(BR)DSS

DS(on)

0.235 @ V = -10V

4.6

4.2

-100

0.285 @ V = -6V

Description

This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique

structure combining the benefits of low on-resistance and fast

switching, making it ideal for high efficiency power management

applications.

Features

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

DPAK package

Applications

•

DC-DC converters

Power management functions

Disconnect switches

Motor control

Pinout - top view

Ordering information

Device

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXMP10A16KTC

2500

Device marking

ZXMP

10A16

Issue 1 - October 2006

www.zetex.com

12 3 4 5 6 7 8

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