ZVP2120A

更新时间： 2024-02-22 01:31:18

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	88K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ZVP2120A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.23
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	0.17 A
最大漏源导通电阻：	25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	7 pF	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.2 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	27 ns
最大开启时间（吨）：	22 ns	Base Number Matches：	1

ZVP2120A 数据手册

P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 MARCH 94

ZVP2120A

FEATURES

200 Volt V_DS

R_DS(on)=25Ω

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

-200

-120

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

-1.2

Gate Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

700

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

PARAMETER

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

-200

I_D=-1mA, V_GS=0V

ID=-1mA, V_DS= V_GS

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

-1.5

-3.5

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain

Current

-10

-100

V_DS=-200 V, V_GS=0

V_DS=-160 V, V_GS=0V,

T=125°C(2)

µA

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

-300

V_DS=-25 V, V_GS=-10V

V_GS=-10V,I_D=-150mA

Static Drain-Source

On-State Resistance (1)

R_DS(on)

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

V_DS=-25V,I_D=-150mA

Input Capacitance (2)

C_iss

100

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=-25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C_rss

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD≈-25V, I_D=-150mA

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sample test.

3-425

(

12 3

中文翻译

下载PDF

ZVP2120A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBF170-7-F	DIODES	功能相似	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS123-7-F	DIODES	功能相似	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002K-7	DIODES	功能相似	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

与ZVP2120A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVP2120AM1	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP2120ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP2120ASMTA	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP2120ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP2120ASMTC	DIODES	获取价格	暂无描述
ZVP2120ASTOA	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP2120ASTOA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP2120ASTOB	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP2120ASTZ	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP2120ASTZ	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与ZVP2120A相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

5
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

5
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

6
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZVP2120A

ZVP2120A 技术参数

ZVP2120A 数据手册

ZVP2120A 替代型号

与ZVP2120A相关器件

与ZVP2120A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZVP2120A

ZVP2120A 技术参数

ZVP2120A 数据手册

ZVP2120A 替代型号

与ZVP2120A相关器件

与ZVP2120A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？