ZVP2120GTA

更新时间： 2024-09-26 13:16:19

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美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	88K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 200V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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ZVP2120GTA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	0.72
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.2 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVP2120GTA 数据手册

P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 MARCH 94

ZVP2120A

FEATURES

200 Volt V_DS

R_DS(on)=25Ω

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

-200

-120

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

-1.2

Gate Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

700

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

PARAMETER

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

-200

I_D=-1mA, V_GS=0V

ID=-1mA, V_DS= V_GS

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

-1.5

-3.5

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain

Current

-10

-100

V_DS=-200 V, V_GS=0

V_DS=-160 V, V_GS=0V,

T=125°C(2)

µA

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

-300

V_DS=-25 V, V_GS=-10V

V_GS=-10V,I_D=-150mA

Static Drain-Source

On-State Resistance (1)

R_DS(on)

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

V_DS=-25V,I_D=-150mA

Input Capacitance (2)

C_iss

100

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=-25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C_rss

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD≈-25V, I_D=-150mA

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sample test.

3-425

(

12 3

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