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ZVN0120B

更新时间: 2024-11-20 22:06:23
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 429K
描述
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN0120B 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.72
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.42 A
最大漏极电流 (ID):0.42 A最大漏源导通电阻:10 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):235
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:5 W
最大功率耗散 (Abs):0.7 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

ZVN0120B 数据手册

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