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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZVN0535A
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ZVN0535A

更新时间： 2024-01-03 12:27:22
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号场效应晶体管
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3页 73K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN0535A 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.09
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：350 V
最大漏极电流 (ID)：0.09 A最大漏源导通电阻：40 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZVN0535A 数据手册

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N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ISSUE 2 – MARCH 94  
ZVN0535A  
FEATURES  
*
*
350 Volt VDS  
RDS(on)=50Ω  
D
G
S
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
350  
90  
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
mA  
mA  
V
IDM  
600  
Gate Source Voltage  
VGS  
± 20  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
700  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Drain-Source Breakdown  
Voltage  
BVDSS  
350  
V
ID=1mA, VGS=0V  
ID=1mA, VDS= VGS  
VGS=± 20V, VDS=0V  
Gate-Source Threshold  
Voltage  
VGS(th)  
1
3
V
Gate-Body Leakage  
IGSS  
IDSS  
20  
nA  
Zero Gate Voltage Drain  
Current  
10  
400  
VDS=350 V, VGS=0  
VDS=280 V, VGS=0V,  
T=125°C(2)  
µA  
µA  
On-State Drain Current(1)  
ID(on)  
150  
100  
mA VDS=25 V, VGS=10V  
Static Drain-Source On-State RDS(on)  
Resistance (1)  
50  
VGS=10V,ID=100mA  
Ω
Forward Transconductance(1)(2gfs  
)
mS  
VDS=25V,ID=100mA  
Input Capacitance (2)  
Ciss  
70  
10  
pF  
pF  
Common Source Output  
Capacitance (2)  
Coss  
VDS=25 V, VGS=0V, f=1MHz  
Reverse Transfer Capacitance Crss  
(2)  
4
pF  
Turn-On Delay Time (2)(3)  
Rise Time (2)(3)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
7
ns  
ns  
ns  
ns  
7
VDD≈25V, ID=100mA  
Turn-Off Delay Time (2)(3)  
Fall Time (2)(3)  
16  
10  
3-353  
(
1
123

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